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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTS4DNF60L
STS4DNF60L Image
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STS4DNF60L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS4DNF60L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS4DNF60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS4DNF60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32321

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Spezifikation

STS4DNF60L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS4DNF60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS4DNF60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STS4DNF60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS4DNF60L.

Produkteigenschaften STS4DNF60L STS4DPF30L STS4C3F60L STS4DNF30L
Artikelnummer STS4DNF60L STS4DPF30L STS4C3F60L STS4DNF30L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V 50mOhm @ 2A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A 4A 4A, 3A 4A
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie STripFET™ STripFET™ STripFET™ STripFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30V 60V 30V
Grundproduktnummer STS4DNF60 STS4D STS4C STS4D
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V 1350pF @ 25V 1030pF @ 25V 330pF @ 25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 16nC @ 5V 20.4nC @ 4.5V 9nC @ 10V

STS4DNF60L Datenblatt PDF

Laden Sie STS4DNF60L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS4DNF60L - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Datenblätter
STS4DNF60L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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