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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTSJ50NH3LL
STSJ50NH3LL Image
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STSJ50NH3LL - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STSJ50NH3LL
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STSJ50NH3LL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
STSJ50NH3LL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4120

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Anzahl

Spezifikation

STSJ50NH3LL Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STSJ50NH3LL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STSJ50NH3LL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer STSJ50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STSJ50NH3LL.

Produkteigenschaften STSJ50NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ100NH3LL
Artikelnummer STSJ50NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ100NH3LL
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 25A (Tc) 100A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 4450 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STSJ50 STSJ100N STSJ25 STSJ100N
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 1mA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie STripFET™ STripFET™ III STripFET™ II STripFET™ III
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) 70W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 6A, 10V 4.2mOhm @ 10A, 10V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC-EP 8-SOIC 8-SOIC-EP

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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