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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTSJ60NH3LL
STSJ60NH3LL Image
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STSJ60NH3LL - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STSJ60NH3LL
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STSJ60NH3LL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
STSJ60NH3LL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36439

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Spezifikation

STSJ60NH3LL Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STSJ60NH3LL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STSJ60NH3LL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer STSJ60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STSJ60NH3LL.

Produkteigenschaften STSJ60NH3LL STSJ100NH3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL
Artikelnummer STSJ60NH3LL STSJ100NH3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 25 V 4450 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 965 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie STripFET™ STripFET™ III STripFET™ II STripFET™
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP 8-SOIC-EP 8-SOIC 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 100A (Tc) 25A (Tc) 50A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer STSJ60 STSJ100N STSJ25 STSJ50
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 7.5A, 10V 3.5mOhm @ 12.5A, 10V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 10.5mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) 70W (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STSJ60NH3LL Datenblatt PDF

Laden Sie STSJ60NH3LL PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STSJ60NH3LL - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STSJ60NH3LL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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