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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTT3PF30L
STT3PF30L Image
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STT3PF30L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STT3PF30L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STT3PF30L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
STT3PF30L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5080

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Spezifikation

STT3PF30L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STT3PF30L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STT3PF30L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc)  
Grundproduktnummer STT3P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STT3PF30L.

Produkteigenschaften STT3PF30L STT4PF20V STT3P2UH7 STT4P3LLH6
Artikelnummer STT3PF30L STT4PF20V STT3P2UH7 STT4P3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie STripFET™ II STripFET™ II STripFET™ DeepGATE™, STripFET™ H6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 1.5A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 4.5V 100mOhm @ 1.5A, 4.5V 56mOhm @ 2A, 10V
Grundproduktnummer STT3P STT4P STT3P STT4P3
Verlustleistung (max) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±10V ±8V ±20V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 4A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 500 pF @ 15 V 510 pF @ 10 V 639 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

STT3PF30L Datenblatt PDF

Laden Sie STT3PF30L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STT3PF30L - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STT3PF30L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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