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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTT5N2VH5
STT5N2VH5 Image
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STT5N2VH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STT5N2VH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STT5N2VH5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
STT5N2VH5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 145610

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Spezifikation

STT5N2VH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STT5N2VH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STT5N2VH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6  
Serie STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 367 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tj)  
Grundproduktnummer STT5N2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STT5N2VH5.

Produkteigenschaften STT5N2VH5 STT4P3LLH6 STT3PF30L STT5PF20V
Artikelnummer STT5N2VH5 STT4P3LLH6 STT3PF30L STT5PF20V
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 2A, 4.5V 56mOhm @ 2A, 10V 165mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer STT5N2 STT4P3 STT3P STT5P
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Verlustleistung (max) 1.6W (Tc) 1.6W (Ta) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±16V ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 2.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie STripFET™ V DeepGATE™, STripFET™ H6 STripFET™ II STripFET™ II
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 367 pF @ 16 V 639 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 412 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tj) 4A (Ta) 2.4A (Tc) 5A (Tc)

STT5N2VH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STT5N2VH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STT5N2VH5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STT5N2VH5.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Cover Tape Supplier 16/Sep/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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