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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU6N65K3
STU6N65K3 Image
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STU6N65K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU6N65K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU6N65K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STx(x)6N65K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Spezifikation

STU6N65K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU6N65K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU6N65K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Tc)  
Grundproduktnummer STU6N65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU6N65K3.

Produkteigenschaften STU6N65K3 STU6N95K5 STU75N3LLH6 STU7N105K5
Artikelnummer STU6N65K3 STU6N95K5 STU75N3LLH6 STU7N105K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) IPAK (TO-251)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 5V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Tc) 9A (Tc) 75A (Tc) 4A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V 450 pF @ 100 V 2030 pF @ 10 V 380 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STU6N65 STU6N95 STU75N STU7N105
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 950 V 30 V 1050 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie SuperMESH3™ SuperMESH5™ DeepGATE™, STripFET™ VI SuperMESH5™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 23.8 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.7A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 5.9mOhm @ 37.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V

STU6N65K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STU6N65K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU6N65K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Datenblätter
STx(x)6N65K3.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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