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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTU6N65M2
STU6N65M2 Image
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STU6N65M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STU6N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STU6N65M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
ST(F,P,U)6N65M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 84820

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Spezifikation

STU6N65M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STU6N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STU6N65M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STU6N65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STU6N65M2.

Produkteigenschaften STU6N65M2 STU7N60M2 STU7N65M2 STU6N60M2
Artikelnummer STU6N65M2 STU7N60M2 STU7N65M2 STU6N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V 8.8 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V 950mOhm @ 2.5A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie MDmesh™ MDmesh™ II Plus MDmesh™ MDmesh™ II Plus
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc) 4.5A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V 271 pF @ 100 V 270 pF @ 100 V 232 pF @ 100 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STU6N65 STU7N60 STU7N65 STU6N60
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V

STU6N65M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STU6N65M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STU6N65M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
ST(F,P,U)6N65M2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STU6N65M2

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