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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW12N120K5
STW12N120K5 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW12N120K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW12N120K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW12N120K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx12N120K5(-2), STWA12N120K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6442

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Spezifikation

STW12N120K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW12N120K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW12N120K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STW12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW12N120K5.

Produkteigenschaften STW12N120K5 STW12NK95Z STW11NB80 STW12NK60Z
Artikelnummer STW12N120K5 STW12NK95Z STW11NB80 STW12NK60Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V 3500 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V 900mOhm @ 5A, 10V 800mOhm @ 5.5A, 10V 640mOhm @ 5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie MDmesh™ K5 SuperMESH™ PowerMESH™ SuperMESH™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 950 V 800 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer STW12 STW12N STW11N STW12N
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V

STW12N120K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW12N120K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW12N120K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx12N120K5(-2), STWA12N120K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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