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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW11NK100Z
STW11NK100Z Image
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STW11NK100Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW11NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW11NK100Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW11NK100Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10259

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Anzahl

Spezifikation

STW11NK100Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW11NK100Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW11NK100Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 4.15A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Tc)  
Grundproduktnummer STW11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW11NK100Z.

Produkteigenschaften STW11NK100Z STW12N120K5 STW11NK90Z STW120NF10
Artikelnummer STW11NK100Z STW12N120K5 STW11NK90Z STW120NF10
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.3A (Tc) 12A (Tc) 9.2A (Tc) 110A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 1370 pF @ 100 V 3000 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Grundproduktnummer STW11 STW12 STW11 STW120
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SuperMESH™ MDmesh™ K5 SuperMESH™ STripFET™ II
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 250W (Tc) 200W (Tc) 312W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 10 V 44.2 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1200 V 900 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 4.15A, 10V 690mOhm @ 6A, 10V 980mOhm @ 4.6A, 10V 10.5mOhm @ 60A, 10V
FET-Merkmal - - - -

STW11NK100Z Datenblatt PDF

Laden Sie STW11NK100Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW11NK100Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Datenblätter
STW11NK100Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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