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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW13NK100Z
STW13NK100Z Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW13NK100Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW13NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW13NK100Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW13NK100Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5823

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Anzahl

Spezifikation

STW13NK100Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW13NK100Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW13NK100Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 350W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer STW13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW13NK100Z.

Produkteigenschaften STW13NK100Z STW13NK80Z STW12NM60N STW13NK60Z
Artikelnummer STW13NK100Z STW13NK80Z STW12NM60N STW13NK60Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 30.5 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ SuperMESH™
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer STW13 STW13N STW12N STW13
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 6.5A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V 410mOhm @ 5A, 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 800 V 600 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 350W (Tc) 230W (Tc) 90W (Tc) 150W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc) 13A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 3480 pF @ 25 V 960 pF @ 50 V 2030 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STW13NK100Z Datenblatt PDF

Laden Sie STW13NK100Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW13NK100Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Datenblätter
STW13NK100Z.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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