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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW14NK60Z
STW14NK60Z Image
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STW14NK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW14NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW14NK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx14NK60Z(FP,-1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5390

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Anzahl

Spezifikation

STW14NK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW14NK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW14NK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STW14N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW14NK60Z.

Produkteigenschaften STW14NK60Z STW15N95K5 STW150NF55 STW13NK80Z
Artikelnummer STW14NK60Z STW15N95K5 STW150NF55 STW13NK80Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 170W (Tc) 300W (Tc) 230W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer STW14N STW15 STW150 STW13N
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 25 V 900 pF @ 100 V 4400 pF @ 25 V 3480 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 950 V 55 V 800 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie SuperMESH™ SuperMESH5™ STripFET™ II SuperMESH™
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V 6mOhm @ 60A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Tc) 12A (Tc) 120A (Tc) 12A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STW14NK60Z Datenblatt PDF

Laden Sie STW14NK60Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW14NK60Z - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx14NK60Z(FP,-1).pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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