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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW16NK60Z
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STW16NK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW16NK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW16NK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx16NK60Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5300

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Anzahl

Spezifikation

STW16NK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW16NK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW16NK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer STW16N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW16NK60Z.

Produkteigenschaften STW16NK60Z STW15NB50 STW18NM60ND STW16N65M5
Artikelnummer STW16NK60Z STW15NB50 STW18NM60ND STW16N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie SuperMESH™ PowerMESH™ FDmesh™ II MDmesh™ V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 190W (Tc) 190W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 1030 pF @ 50 V 1250 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer STW16N STW15N STW18N STW16N
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 7A, 10V 360mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 279mOhm @ 6A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 14.6A (Tc) 13A (Tc) 12A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 600 V 650 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STW16NK60Z Datenblatt PDF

Laden Sie STW16NK60Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW16NK60Z - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx16NK60Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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