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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW18N65M5
STW18N65M5 Image
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STW18N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW18N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW18N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 15A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STx18N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16981

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Anzahl

Spezifikation

STW18N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW18N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW18N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer STW18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW18N65M5.

Produkteigenschaften STW18N65M5 STW18NM60N STW17N62K3 STW19NM65N
Artikelnummer STW18N65M5 STW18NM60N STW17N62K3 STW19NM65N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 620 V 650 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V 1000 pF @ 50 V 2500 pF @ 50 V 1900 pF @ 50 V
Serie MDmesh™ V MDmesh™ II SuperMESH3™ MDmesh™ II
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc)
Grundproduktnummer STW18 STW18 STW17N STW19N
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 13A (Tc) 15.5A (Tc) 15.5A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 7.5A, 10V 270mOhm @ 7.75A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V

STW18N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STW18N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW18N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STx18N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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