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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW48NM60N
STW48NM60N Image
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STW48NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW48NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW48NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 44A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW48NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4114

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Spezifikation

STW48NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW48NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW48NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 330W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4285 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer STW48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW48NM60N.

Produkteigenschaften STW48NM60N STW48N60M2-4 STW48N60DM2 STW48N60M6
Artikelnummer STW48NM60N STW48N60M2-4 STW48N60DM2 STW48N60M6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 42A (Tc) 40A (Tc) 39A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 330W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc)
Serie MDmesh™ II MDmesh™ M2 MDmesh™ DM2 MDmesh™ M6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4285 pF @ 50 V 3060 pF @ 100 V 3250 pF @ 100 V 2578 pF @ 100 V
Grundproduktnummer STW48 STW48 STW48 STW48
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 10V 70mOhm @ 21A, 10V 79mOhm @ 20A, 10V 69mOhm @ 19.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3

STW48NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STW48NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW48NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Datenblätter
STW48NM60N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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