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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW4N150
STW4N150 Image
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STW4N150 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW4N150
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW4N150
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STxx4N150.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10198

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Anzahl

Spezifikation

STW4N150 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW4N150 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW4N150

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STW4N150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW4N150.

Produkteigenschaften STW4N150 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW48N60M6
Artikelnummer STW4N150 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW48N60M6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie PowerMESH™ MDmesh™ M2 MDmesh™ II MDmesh™ M6
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V 70mOhm @ 21A, 10V 70mOhm @ 20A, 10V 69mOhm @ 19.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 250W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 42A (Tc) 44A (Tc) 39A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 600 V 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3060 pF @ 100 V 4285 pF @ 50 V 2578 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STW4N150 STW48 STW48 STW48
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STW4N150 Datenblatt PDF

Laden Sie STW4N150 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW4N150 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STxx4N150.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW4N150

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32D-STW4N150

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