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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW70N60DM6
STW70N60DM6 Image
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STW70N60DM6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW70N60DM6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW70N60DM6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW(A)70N60DM6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3222

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Anzahl

Spezifikation

STW70N60DM6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW70N60DM6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW70N60DM6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  
Grundproduktnummer STW70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW70N60DM6.

Produkteigenschaften STW70N60DM6 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW6N95K5
Artikelnummer STW70N60DM6 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW6N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 65A (Tc) 66A (Tc) 9A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 100 V 600 V 950 V
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±30V
Grundproduktnummer STW70 STW70N STW70 STW6N95
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 19.5mOhm @ 30A, 10V 42mOhm @ 33A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V
Serie MDmesh™ DM6 DeepGATE™, STripFET™ MDmesh™ DM2 SuperMESH5™
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) - 150W (Tc) 446W (Tc) 90W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V

STW70N60DM6 Datenblatt PDF

Laden Sie STW70N60DM6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STW70N60DM6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STW(A)70N60DM6.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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32D-STW70N60DM6

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