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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTW70N65DM6
STW70N65DM6 Image
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STW70N65DM6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STW70N65DM6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STW70N65DM6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 68A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW70N65DM6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4507

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Spezifikation

STW70N65DM6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STW70N65DM6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STW70N65DM6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 68A (Tc)  
Grundproduktnummer STW70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STW70N65DM6.

Produkteigenschaften STW70N65DM6 STW72N60DM2AG STW70N60DM6 STW75N60M6-4
Artikelnummer STW70N65DM6 STW72N60DM2AG STW70N60DM6 STW75N60M6-4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 34A, 10V 42mOhm @ 33A, 10V - 36mOhm @ 36A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 68A (Tc) 66A (Tc) 62A (Tc) 72A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie MDmesh™ DM6 Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MDmesh™ DM6 MDmesh™ M6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 121 nC @ 10 V - 106 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 100 V 5508 pF @ 100 V - 4850 pF @ 100 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 446W (Tc) - 446W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Grundproduktnummer STW70 STW72 STW70 STW75
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA - 4.75V @ 250µA

STW70N65DM6 Datenblatt PDF

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Datenblätter
STW70N65DM6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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