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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTWA48N60DM2
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STWA48N60DM2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STWA48N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STWA48N60DM2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 40A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STWA48N60DM2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8329

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Spezifikation

STWA48N60DM2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STWA48N60DM2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STWA48N60DM2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads  
Serie MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer STWA48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STWA48N60DM2.

Produkteigenschaften STWA48N60DM2 STWA45N65M5 STWA65N60DM6 STWA30N65DM6AG
Artikelnummer STWA48N60DM2 STWA45N65M5 STWA65N60DM6 STWA30N65DM6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ DM2 MDmesh™ V MDmesh™ DM6 Automotive, AEC-Q101
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250 pF @ 100 V 3470 pF @ 100 V - 2000 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer STWA48 STWA45 STWA65 STWA30
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V - 46 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA - 4.75V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 35A (Tc) 38A (Tc) 28A (Tc)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 210W (Tc) - 284W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads TO-247 TO-247 Long Leads TO-247 Long Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 20A, 10V 78mOhm @ 17.5A, 10V - 110mOhm @ 14A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V

STWA48N60DM2 Datenblatt PDF

Laden Sie STWA48N60DM2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STWA48N60DM2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer 15/Feb/2019.pdf
Datenblätter
STWA48N60DM2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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