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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTWA65N60DM6
STMicroelectronics
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STWA65N60DM6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STWA65N60DM6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STWA65N60DM6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STW65N60DM6, STWA65N60DM6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5285

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Spezifikation

STWA65N60DM6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STWA65N60DM6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STWA65N60DM6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads  
Serie MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer STWA65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STWA65N60DM6.

Produkteigenschaften STWA65N60DM6 STWA57N65M5 STWA88N65M5 STWA30N65DM6AG
Artikelnummer STWA65N60DM6 STWA57N65M5 STWA88N65M5 STWA30N65DM6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Betriebstemperatur - 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STWA65 STWA57 STWA88 STWA30
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) - 250W (Tc) 450W (Tc) 284W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 42A (Tc) 84A (Tc) 28A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads TO-247 TO-247-3 TO-247 Long Leads
VGS (th) (Max) @ Id - 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 63mOhm @ 21A, 10V 29mOhm @ 42A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
Serie MDmesh™ DM6 MDmesh™ V MDmesh™ V Automotive, AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 650 V 650 V

STWA65N60DM6 Datenblatt PDF

Laden Sie STWA65N60DM6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STWA65N60DM6 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STW65N60DM6, STWA65N60DM6.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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