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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM085P03CV
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM085P03CV - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM085P03CV
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM085P03CV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
-30, -64, SINGLE P-CHANNEL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
TSM085P03CV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57170

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Spezifikation

TSM085P03CV Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM085P03CV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM085P03CV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (3.1x3.1)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3234 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 64A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM085  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV.

Produkteigenschaften TSM085P03CV TSM055N03EPQ56 TSM085P03CV RGG TSM05N03CW RPG
Artikelnummer TSM085P03CV TSM055N03EPQ56 TSM085P03CV RGG TSM05N03CW RPG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3234 pF @ 15 V 1210 pF @ 25 V 3234 pF @ 15 V 555 pF @ 15 V
Grundproduktnummer TSM085 TSM055 TSM085 TSM05
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 64A (Tc) 80A (Tc) 64A (Tc) 5A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (3.1x3.1) 8-PDFN (5x5.8) 8-PDFN (3.1x3.1) SOT-223
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 14A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 11.1 nC @ 4.5 V 55 nC @ 10 V 7 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 50W (Tc) 74W (Tc) 50W (Tc) 3W (Ta)

TSM085P03CV Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSM085P03CV.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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