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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM080N03PQ56
Taiwan Semiconductor Corporation
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TSM080N03PQ56 - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM080N03PQ56
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM080N03PQ56
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
TSM080N03PQ56.pdf
RoHS Status
vorrätig: 86220

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Spezifikation

TSM080N03PQ56 Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM080N03PQ56 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM080N03PQ56

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 69W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 843 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 73A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM080  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56.

Produkteigenschaften TSM080N03PQ56 TSM05N03CW RPG TSM042N03CS RLG TSM060N03PQ33 RGG
Artikelnummer TSM080N03PQ56 TSM05N03CW RPG TSM042N03CS RLG TSM060N03PQ33 RGG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerWDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.4 nC @ 10 V 7 nC @ 5 V 24 nC @ 4.5 V 25.4 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 843 pF @ 15 V 555 pF @ 15 V 2200 pF @ 25 V 1342 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer TSM080 TSM05 TSM042 TSM060
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (5x6) SOT-223 8-SOP 8-PDFN (3.1x3.1)
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 4.2mOhm @ 12A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 73A (Tc) 5A (Ta) 30A (Tc) 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 69W (Tc) 3W (Ta) 7W (Tc) 40W (Tc)

TSM080N03PQ56 Datenblatt PDF

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Datenblätter
TSM080N03PQ56.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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