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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM900N06CH
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM900N06CH - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM900N06CH
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM900N06CH
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt
TSM900N06CH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 73790

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Spezifikation

TSM900N06CH Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CH Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CH

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251S (I-PAK SL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM900  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH.

Produkteigenschaften TSM900N06CH TSM900N10CP TSM80N950CP TSM850N06CX RFG
Artikelnummer TSM900N06CH TSM900N10CP TSM80N950CP TSM850N06CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 800 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 6A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V 85mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-251S (I-PAK SL) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) SOT-23
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V 1480 pF @ 50 V 691 pF @ 100 V 529 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 50W (Tc) 110W (Tc) 1.7W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Grundproduktnummer TSM900 TSM900 TSM80 TSM850
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 15A (Tc) 6A (Tc) 3A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 19.6 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V
Serie - - - -

TSM900N06CH Datenblatt PDF

Laden Sie TSM900N06CH PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM900N06CH - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM900N06CH.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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