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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedRN1101CT(TPL3)
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RN1101CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1101CT(TPL3)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1101CT(TPL3)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-101, SOT-883
Datenblatt
RN110x.pdf
vorrätig: 3790

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Spezifikation

RN1101CT(TPL3) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1101CT(TPL3) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1101CT(TPL3)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse CST3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 50 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-101, SOT-883  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA  
Grundproduktnummer RN1101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT(TPL3).

Produkteigenschaften RN1101CT(TPL3) RN1101MFV,L3F RN1101 TE85L RN1101FS
Artikelnummer RN1101CT(TPL3) RN1101MFV,L3F RN1101 TE85L RN1101FS
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 mA 100 mA - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V - -
Verpackung / Gehäuse SC-101, SOT-883 SOT-723 - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 5mA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Supplier Device-Gehäuse CST3 VESM - -
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 50 V - -
Leistung - max 50 mW 150 mW - -
Grundproduktnummer RN1101 RN1101 - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - -

RN1101CT(TPL3) Datenblatt PDF

Laden Sie RN1101CT(TPL3) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für RN1101CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014.pdf
Datenblätter
RN110x.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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