Spezifikation
RN1101MFV,L3F Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1101MFV,L3F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1101MFV,L3F
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Hersteller |
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
50 V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 5mA |
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| Transistor-Typ |
NPN - Pre-Biased |
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| Supplier Device-Gehäuse |
VESM |
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| Serie |
- |
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| Widerstand - Emitterbasis (R2) |
4.7 kOhms |
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| Widerstand - Basis (R1) |
4.7 kOhms |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Leistung - max |
150 mW |
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| Verpackung / Gehäuse |
SOT-723 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
30 @ 10mA, 5V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
100 mA |
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| Grundproduktnummer |
RN1101 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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RN1101F