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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedRN1971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1971FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
RN1971FE(TE85L,F)
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-RN1971FE(TE85L,F)
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
RN1970FE-71FE.pdf
vorrätig: 5330

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Anzahl

Spezifikation

RN1971FE(TE85L,F) Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1971FE(TE85L,F) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN1971FE(TE85L,F)

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse ES6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 100mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer RN1971  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE(TE85L,F).

Produkteigenschaften RN1971FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) RN1962(TE85LF) RN1971FE(TE85L)
Artikelnummer RN1971FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) RN1962(TE85LF) RN1971FE(TE85L)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 4.7kOhms - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - -
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 4.7kOhms - -
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - -
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) - -
Leistung - max 100mW 100mW - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 5V 30 @ 10mA, 5V - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA - -
Supplier Device-Gehäuse ES6 ES6 - -
Grundproduktnummer RN1971 RN1961 - -

RN1971FE(TE85L,F) Datenblatt PDF

Laden Sie RN1971FE(TE85L,F) PDF -Datenblätter und Toshiba Semiconductor and Storage -Dokumentation für RN1971FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014.pdf
Datenblätter
RN1970FE-71FE.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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