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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTPN8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN8R903NL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Artikelnummer
TPN8R903NL,LQ
Hersteller
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Artikelnummer
32D-TPN8R903NL,LQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
TPN8R903NL,LQ.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 112190

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Spezifikation

TPN8R903NL,LQ Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - TPN8R903NL,LQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - TPN8R903NL,LQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSON Advance (3.1x3.1)  
Serie U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta), 22W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer TPN8R903  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL,LQ.

Produkteigenschaften TPN8R903NL,LQ TPN5R203PL,LQ TPN4R303NL,L1Q TPN4R712MD,L1Q
Artikelnummer TPN8R903NL,LQ TPN5R203PL,LQ TPN4R303NL,L1Q TPN4R712MD,L1Q
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA 2.1V @ 200µA 2.3V @ 200µA 1.2V @ 1mA
Grundproduktnummer TPN8R903 TPN5R203 TPN4R303 TPN4R712
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 14.8 nC @ 10 V 65 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 38A (Tc) 40A (Tc) 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V 5.2mOhm @ 19A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 175°C 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 700mW (Ta), 22W (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) 42W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 15 V 1975 pF @ 15 V 1400 pF @ 15 V 4300 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie U-MOSVIII-H U-MOSIX-H U-MOSVIII-H U-MOSVI

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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