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VS-GA200SA60UP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
VS-GA200SA60UP
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-VS-GA200SA60UP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
VS-GA200SA60UP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4960

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Anzahl

Spezifikation

VS-GA200SA60UP Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GA200SA60UP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GA200SA60UP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227  
Serie -  
Leistung - max 500 W  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
NTC-Thermistor No  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 16.5 nF @ 30 V  
Eingang Standard  
IGBT-Typ -  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1 mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 A  
Konfiguration Single  
Grundproduktnummer GA200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60UP.

Produkteigenschaften VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GT175DA120U VS-GP250SA60S
Artikelnummer VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GT175DA120U VS-GP250SA60S
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Eingang Standard Standard Standard Standard
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 16.5 nF @ 30 V 16.25 nF @ 30 V - -
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A 1.66V @ 15V, 200A 2.1V @ 15V, 100A 1.3V @ 15V, 100A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor No No No No
Leistung - max 500 W 961 W 1087 W 893 W
IGBT-Typ - - Trench PT, Trench
Grundproduktnummer GA200 GA250 GT175 GP250
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device-Gehäuse SOT-227 SOT-227 SOT-227 SOT-227
Strom - Collector Cutoff (Max) 1 mA 1 mA 100 µA 100 µA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 A 400 A 288 A 380 A
Konfiguration Single Single Single Single
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 1200 V 600 V
Paket Bulk Tube Bulk Tube

VS-GA200SA60UP Datenblatt PDF

Laden Sie VS-GA200SA60UP PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für VS-GA200SA60UP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Ink to Laser 03/Feb/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 10/Jan/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
DD-023-2014-Rev-00 27/Oct/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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