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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-ModuleVS-GB90DA120U
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VS-GB90DA120U - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
VS-GB90DA120U
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-VS-GB90DA120U
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
VS-GB90DA120U.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3850

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Spezifikation

VS-GB90DA120U Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GB90DA120U Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-GB90DA120U

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227  
Serie -  
Leistung - max 862 W  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
NTC-Thermistor No  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingang Standard  
IGBT-Typ NPT  
Strom - Collector Cutoff (Max) 250 µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 149 A  
Konfiguration Single  
Grundproduktnummer GB90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90DA120U.

Produkteigenschaften VS-GB90DA120U VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GP250SA60S
Artikelnummer VS-GB90DA120U VS-GA200SA60UP VS-GA250SA60S VS-GP250SA60S
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Eingang Standard Standard Standard Standard
Supplier Device-Gehäuse SOT-227 SOT-227 SOT-227 SOT-227
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4 SOT-227-4, miniBLOC
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Konfiguration Single Single Single Single
Leistung - max 862 W 500 W 961 W 893 W
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 149 A 200 A 400 A 380 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 250 µA 1 mA 1 mA 100 µA
IGBT-Typ NPT - - PT, Trench
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Grundproduktnummer GB90 GA200 GA250 GP250
NTC-Thermistor No No No No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A 1.9V @ 15V, 100A 1.66V @ 15V, 200A 1.3V @ 15V, 100A

VS-GB90DA120U Datenblatt PDF

Laden Sie VS-GB90DA120U PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für VS-GB90DA120U - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Ink to Laser 03/Feb/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 10/Jan/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-VS-GB90DA120U

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