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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRC634PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRC634PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRC634PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRC634PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-5
Datenblatt
IRC634.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5180

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Anzahl

Spezifikation

IRC634PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRC634PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRC634PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-5  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Current Sensing  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.1A (Tc)  
Grundproduktnummer IRC634  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRC634PBF.

Produkteigenschaften IRC634PBF IRC730PBF IRC830PBF IRC630PBF
Artikelnummer IRC634PBF IRC730PBF IRC830PBF IRC630PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.1A (Tc) 5.5A (Tc) 4.5A (Tc) 9A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Grundproduktnummer IRC634 IRC730 IRC830 IRC630
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal Current Sensing Current Sensing Current Sensing Current Sensing
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 74W (Tc) 74W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4.9A, 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 400 V 500 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRC634PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRC634PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRC634PBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRC634.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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