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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRC730PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRC730PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRC730PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRC730PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-5
Datenblatt
IRC730.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4640

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Anzahl

Spezifikation

IRC730PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRC730PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRC730PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-5  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Current Sensing  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRC730  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRC730PBF.

Produkteigenschaften IRC730PBF IRC634PBF IRC830PBF IRC840PBF
Artikelnummer IRC730PBF IRC634PBF IRC830PBF IRC840PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IRC730 IRC634 IRC830 IRC840
FET-Merkmal Current Sensing Current Sensing Current Sensing Current Sensing
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5 TO-220-5
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 250 V 500 V 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 8.1A (Tc) 4.5A (Tc) 8A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 74W (Tc) 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V 450mOhm @ 4.9A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRC730PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRC730PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRC730PBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRC730.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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