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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF740ASPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF740ASPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF740ASPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF740ASPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF740ASPBF, ALPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36548

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Anzahl

Spezifikation

IRF740ASPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF740ASPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF740ASPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF740  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF740ASPBF.

Produkteigenschaften IRF740ASPBF IRF740BPBF IRF740ALPBF IRF740ASTRRPBF
Artikelnummer IRF740ASPBF IRF740BPBF IRF740ALPBF IRF740ASTRRPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB I2PAK D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V 600mOhm @ 5A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 147W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 400 V 400 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V 526 pF @ 100 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRF740 IRF740 IRF740 IRF740
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V

IRF740ASPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF740ASPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF740ASPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRF740ASPBF, ALPBF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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