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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF740ASTRLPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF740ASTRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF740ASTRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF740ASTRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF740ASPBF, ALPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13412

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Anzahl

Spezifikation

IRF740ASTRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF740ASTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF740ASTRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF740  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF740ASTRLPBF.

Produkteigenschaften IRF740ASTRLPBF IRF740AL IRF740ASPBF IRF740AS
Artikelnummer IRF740ASTRLPBF IRF740AL IRF740ASPBF IRF740AS
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IRF740 IRF740 IRF740 IRF740
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) I2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 400 V 400 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V

IRF740ASTRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF740ASTRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF740ASTRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRF740ASPBF, ALPBF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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