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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF820A
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF820A - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF820A
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF820A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF820A, SiHF820A.pdf
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

IRF820A Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF820A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF820A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF820  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF820A.

Produkteigenschaften IRF820A IRF820PBF IRF820ASPBF IRF820B
Artikelnummer IRF820A IRF820PBF IRF820ASPBF IRF820B
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer IRF820 IRF820 IRF820 -
Paket Tube Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) -
Serie - - - *
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V -

IRF820A Datenblatt PDF

Laden Sie IRF820A PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF820A - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRF820A, SiHF820A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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