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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF820ALPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF820ALPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF820ALPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF820ALPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRF820ASPBF, ALPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55170

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Anzahl

Spezifikation

IRF820ALPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF820ALPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF820ALPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF820  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF820ALPBF.

Produkteigenschaften IRF820ALPBF IRF820SPBF IRF820 IRF820
Artikelnummer IRF820ALPBF IRF820SPBF IRF820 IRF820
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Grundproduktnummer IRF820 IRF820 IRF8 IRF8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - PowerMESH™ II PowerMESH™ II
Paket Tube Tube Bulk Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 315 pF @ 25 V 315 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 80W (Tc) 80W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse I2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 2.5A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)

IRF820ALPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF820ALPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF820ALPBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRF820ASPBF, ALPBF.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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