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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9620STRL
Vishay Siliconix
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IRF9620STRL - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF9620STRL
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9620STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF9620S, SiHF9620S.pdf
vorrätig: 4390

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Spezifikation

IRF9620STRL Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF9620STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF9620STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9620  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF9620STRL.

Produkteigenschaften IRF9620STRL IRF9622 IRF9620STRLPBF IRF9630
Artikelnummer IRF9620STRL IRF9622 IRF9620STRLPBF IRF9630
Hersteller Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Harris Corporation
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 40W (Tc) 40W (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) 74W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220 D²PAK (TO-263) TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Grundproduktnummer IRF9620 - IRF9620 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 3A (Tc) 3.5A (Tc) 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
FET-Merkmal - - - -

IRF9620STRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9620STRL PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF9620STRL - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRF9620S, SiHF9620S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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