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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9620
Vishay Siliconix
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IRF9620 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF9620
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9620
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF9620, SiHF9620.pdf
vorrätig: 3950

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Spezifikation

IRF9620 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF9620 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF9620

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9620  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF9620.

Produkteigenschaften IRF9620 IRF9622 IRF9620S IRF9620PBF
Artikelnummer IRF9620 IRF9622 IRF9620S IRF9620PBF
Hersteller Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 3A (Tc) 3.5A (Tc) 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220 D²PAK (TO-263) TO-220AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 40W (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRF9620 - IRF9620 IRF9620
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF9620 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9620 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF9620 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRF9620, SiHF9620.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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