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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFBC40L
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFBC40L - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFBC40L
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFBC40L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFBC40L.pdf
vorrätig: 5290

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Anzahl

Spezifikation

IRFBC40L Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFBC40L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFBC40L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFBC40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFBC40L.

Produkteigenschaften IRFBC40L IRFBC40LC IRFBE20PBF IRFBC40A
Artikelnummer IRFBC40L IRFBC40LC IRFBE20PBF IRFBC40A
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A (Tc) 6.2A (Tc) 1.8A (Tc) 6.2A (Tc)
Grundproduktnummer IRFBC40 IRFBC40 IRFBE20 IRFBC40
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 1036 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 130W (Tc) 125W (Tc) 54W (Tc) 125W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 800 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAK TO-220AB TO-220AB TO-220AB
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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