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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFBE20PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFBE20PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFBE20PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFBE20PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFBE20, SiHFBE20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53810

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Anzahl

Spezifikation

IRFBE20PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFBE20PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFBE20PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFBE20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFBE20PBF.

Produkteigenschaften IRFBE20PBF IRFBE30L IRFBE30STRLPBF IRFBC40LCPBF
Artikelnummer IRFBE20PBF IRFBE30L IRFBE30STRLPBF IRFBC40LCPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Verlustleistung (max) 54W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB I2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFBE20 IRFBE30 IRFBE30 IRFBC40
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 800 V 800 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Tc) 4.1A (Tc) 4.1A (Tc) 6.2A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V

IRFBE20PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFBE20PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFBE20PBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Datenblätter
IRFBE20, SiHFBE20.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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