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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFI734G
IRFI734G Image
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IRFI734G - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFI734G
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI734G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRFI734G,SiHFI734G.pdf
vorrätig: 4300

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Anzahl

Spezifikation

IRFI734G Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFI734G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFI734G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFI734  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFI734G.

Produkteigenschaften IRFI734G IRFI730GPBF IRFI640G IRFI744G
Artikelnummer IRFI734G IRFI730GPBF IRFI640G IRFI744G
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V 1Ohm @ 2.1A, 10V 180mOhm @ 5.9A, 10V 630mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V 400 V 200 V 450 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFI734 IRFI730 IRFI640 IRFI744
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A (Tc) 3.7A (Tc) 9.8A (Tc) 4.9A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRFI734G Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI734G PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFI734G - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFI734G,SiHFI734G.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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