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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFI744G
IRFI744G Image
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IRFI744G - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFI744G
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI744G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRFI744G,SiHFI744G.pdf
vorrätig: 5410

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Anzahl

Spezifikation

IRFI744G Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFI744G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFI744G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 2.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFI744  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFI744G.

Produkteigenschaften IRFI744G IRFI830G IRFI740GPBF IRFI740BTU
Artikelnummer IRFI744G IRFI830G IRFI740GPBF IRFI740BTU
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V 500 V 400 V 400 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 2.9A, 10V 1.5Ohm @ 1.9A, 10V 550mOhm @ 3.2A, 10V 540mOhm @ 5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IRFI744 IRFI830 IRFI740 IRFI7
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 I2PAK
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 35W (Tc) 40W (Tc) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Tc) 3.1A (Tc) 5.4A (Tc) 10A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IRFI744G Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI744G PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFI744G - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mosfet EOL 25/Feb/2009.pdf
Datenblätter
IRFI744G,SiHFI744G.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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