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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFIBC40GLC
IRFIBC40GLC Image
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IRFIBC40GLC - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFIBC40GLC
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFIBC40GLC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRFIBC40GLC.pdf
vorrätig: 3990

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Spezifikation

IRFIBC40GLC Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFIBC40GLC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFIBC40GLC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFIBC40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFIBC40GLC.

Produkteigenschaften IRFIBC40GLC IRFIB8N50K IRFIBE20GPBF IRFIBC40G
Artikelnummer IRFIBC40GLC IRFIB8N50K IRFIBE20GPBF IRFIBC40G
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 2160 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer IRFIBC40 IRFIB8 IRFIBE20 IRFIBC40
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V 350mOhm @ 4A, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 800 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 6.7A (Tc) 1.4A (Tc) 3.5A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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