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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFIBE20GPBF
IRFIBE20GPBF Image
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IRFIBE20GPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFIBE20GPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFIBE20GPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRFIBE20G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38164

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Anzahl

Spezifikation

IRFIBE20GPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFIBE20GPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFIBE20GPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 840mA, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFIBE20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFIBE20GPBF.

Produkteigenschaften IRFIBE20GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30G IRFIBE20G
Artikelnummer IRFIBE20GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30G IRFIBE20G
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 60 V 900 V 800 V
Grundproduktnummer IRFIBE20 IRFIZ24 IRFIBF30 IRFIBE20
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Tc) 14A (Tc) 1.9A (Tc) 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 840mA, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 37W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFIBE20GPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFIBE20GPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFIBE20GPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Advisory 20/Mar/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Datenblätter
IRFIBE20G.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IRFIBE20GPBF

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