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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFPS29N60LPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFPS29N60LPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFPS29N60LPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFPS29N60LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-274AA
Datenblatt
IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5270

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Spezifikation

IRFPS29N60LPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFPS29N60LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFPS29N60LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SUPER-247™ (TO-274AA)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 480W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-274AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFPS29  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFPS29N60LPBF.

Produkteigenschaften IRFPS29N60LPBF IRFPS38N60L IRFPG30PBF IRFPG50PBF
Artikelnummer IRFPS29N60LPBF IRFPS38N60L IRFPG30PBF IRFPG50PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 480W (Tc) 540W (Tc) 125W (Tc) 190W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-274AA TO-274AA TO-247-3 TO-247-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) TO-247AC TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V 980 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 38A (Tc) 3.1A (Tc) 6.1A (Tc)
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFPS29 IRFPS38 IRFPG30 IRFPG50
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 1000 V 1000 V

IRFPS29N60LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFPS29N60LPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFPS29N60LPBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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