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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFPS30N60KPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFPS30N60KPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFPS30N60KPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFPS30N60KPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-274AA
Datenblatt
IRFPS30N60K,SiHFPS30N60K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4510

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Spezifikation

IRFPS30N60KPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFPS30N60KPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFPS30N60KPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SUPER-247™ (TO-274AA)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-274AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFPS30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFPS30N60KPBF.

Produkteigenschaften IRFPS30N60KPBF IRFPG50PBF IRFPS3810 IRFPS38N60LPBF
Artikelnummer IRFPS30N60KPBF IRFPG50PBF IRFPS3810 IRFPS38N60LPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SUPER-247™ (TO-274AA) TO-247AC SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Serie - - HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 1000 V 100 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 18A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 190W (Tc) 580W (Tc) 540W (Tc)
Paket Tube Tube Bag Tube
Grundproduktnummer IRFPS30 IRFPG50 - IRFPS38
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-274AA TO-247-3 TO-274AA TO-274AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 6.1A (Tc) 170A (Tc) 38A (Tc)

IRFPS30N60KPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFPS30N60KPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFPS30N60KPBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFPS30N60K,SiHFPS30N60K.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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