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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR310PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFR310PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFR310PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR310PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310.pdf
RoHS Status
vorrätig: 82800

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Spezifikation

IRFR310PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFR310PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFR310PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR310  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFR310PBF.

Produkteigenschaften IRFR310PBF IRFR3103 IRFR310TRLPBF IRFR310TR
Artikelnummer IRFR310PBF IRFR3103 IRFR310TRLPBF IRFR310TR
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRFR310 - IRFR310 IRFR310
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - HEXFET® - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 400 V 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc) 1.7A (Ta) 1.7A (Tc) 1.7A (Tc)

IRFR310PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR310PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFR310PBF - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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