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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR310TR
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFR310TR - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFR310TR
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR310TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310.pdf
vorrätig: 4220

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Spezifikation

IRFR310TR Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFR310TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFR310TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR310  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFR310TR.

Produkteigenschaften IRFR310TR IRFR310 IRFR2905ZTRPBF IRFR320
Artikelnummer IRFR310TR IRFR310 IRFR2905ZTRPBF IRFR320
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 55 V 400 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - HEXFET® -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc) 1.7A (Tc) 42A (Tc) 3.1A (Tc)
Grundproduktnummer IRFR310 IRFR310 IRFR2905 IRFR320
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFR310TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR310TR PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFR310TR - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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