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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS9N60APBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFS9N60APBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFS9N60APBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS9N60APBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS9N60A, SiHFS9N60A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20397

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Spezifikation

IRFS9N60APBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFS9N60APBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFS9N60APBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.2A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFS9N60APBF.

Produkteigenschaften IRFS9N60APBF IRFS830B IRFSL17N20D IRFSL11N50A
Artikelnummer IRFS9N60APBF IRFS830B IRFSL17N20D IRFSL11N50A
Hersteller Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - HEXFET® -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220F-3 TO-262 TO-262-3
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1426 pF @ 25 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFS9 - - IRFSL11
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 200 V 500 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.2A (Tc) 4.5A (Tj) 16A (Tc) 11A (Tc)
Verlustleistung (max) 170W (Tc) 38W (Tj) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 190W (Tc)

IRFS9N60APBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS9N60APBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFS9N60APBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRFS9N60A, SiHFS9N60A.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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