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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL3004PBF
Infineon Technologies
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IRFSL3004PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL3004PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL3004PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL3004PBF.pdf
vorrätig: 3930

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Anzahl

Spezifikation

IRFSL3004PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL3004PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL3004PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL3004PBF.

Produkteigenschaften IRFSL3004PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3107PBF IRFS9N60A
Artikelnummer IRFSL3004PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3107PBF IRFS9N60A
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Ta) 24A (Tc) 195A (Tc) 9.2A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 370W (Tc) 170W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 9370 pF @ 50 V 1400 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 200 V 75 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 D²PAK (TO-263)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 3mOhm @ 140A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFSL3004PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL3004PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL3004PBF - Infineon Technologies herunter.

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