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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU020
Vishay Siliconix
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IRFU020 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFU020
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU020
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR020, IRFU020.pdf
vorrätig: 4900

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Spezifikation

IRFU020 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFU020 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFU020

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFU020.

Produkteigenschaften IRFU020 IRFU024 IRFU024NPBF IRFU014PBF
Artikelnummer IRFU020 IRFU024 IRFU024NPBF IRFU014PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 55 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Serie - - HEXFET® -
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IRFU IRFU IRFU024 IRFU014
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 17A (Tc) 7.7A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 75mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFU020 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU020 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFU020 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFR020, IRFU020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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