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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU024NPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU024NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU024NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU024NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU024NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3860

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Anzahl

Spezifikation

IRFU024NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU024NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU024NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU024NPBF.

Produkteigenschaften IRFU024NPBF IRFU014 IRFU024 IRFU120
Artikelnummer IRFU024NPBF IRFU014 IRFU024 IRFU120
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Serie HEXFET® - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRFU024 IRFU IRFU IRFU1
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA TO-251AA
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 60 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 7.7A (Tc) 14A (Tc) 7.7A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFU024NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU024NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU024NPBF - Infineon Technologies herunter.

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